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2、實(shí)驗(yàn)室環(huán)境
美國(guó)軍方針對(duì)高原環(huán)境下的醫(yī)學(xué)研究，USARIEM（The United States Army Research Institute of Environmental Medicine ，USARIEM美國(guó)軍方環(huán)境醫(yī)學(xué)研究所）建有一個(gè)大型（6.3×3.0 m）和一個(gè)小型低壓艙（3.7×2.7 m），通過氣閥相連接，可以模擬及控制壓力（從海平面到海拔9000米的氣壓）、溫度（-32 到43攝氏度）及對(duì)應(yīng)的濕度。
國(guó)內(nèi)目前主要是通過低氣壓（或高低溫-低氣壓，或高低溫-低氣壓-濕度）試驗(yàn)箱模擬相應(yīng)環(huán)境來實(shí)現(xiàn)。
五、低氣壓試驗(yàn)的目的
GJB 360B-2009 電子及電氣元件試驗(yàn)方法 方法105 低氣壓試驗(yàn) （等效美軍標(biāo)MIL-STD-202F ）
六、低氣壓相關(guān)試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)
1）GJB 150.2A-2009 《軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法 第二部分 低氣壓（高度）試驗(yàn)》
2）GJB 360B-2009《電子及電氣元件試驗(yàn)方法 方法105低氣壓試驗(yàn)》（等效美軍標(biāo)MIL-STD-202F ）
3）GJB 548B-2005《微電子器件試驗(yàn)方法和程序 方法1001 低氣壓（高空作業(yè)）》（等效美軍標(biāo)MIL-STD-883D)
4）GB/T 2421-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn) 總則》
5）GB/T 2423.21-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)M低氣壓試驗(yàn)方法》
6）GB/T 2423.25-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Z/AM 低溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法》
7）GB/T 2423.26-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Z/BM 高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法》
8）GB/T 2423.27-2005《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Z/AMD 高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)訪求》
9）GB/T 2424.15-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程》
10）MIL-STD-810F 《環(huán)境工程考慮與實(shí)驗(yàn)室試驗(yàn) 低氣壓（高度）試驗(yàn)》
11）溫度、壓力、高度關(guān)系GB1920
12）IEC 60068-2-41（1976）《基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 第二部分 試驗(yàn) 試驗(yàn)Z/BM 高溫/低氣壓試驗(yàn)》
七、試驗(yàn)條件：
1、試驗(yàn)氣壓
GJB 150不適用于飛行高度超過30 000m的航天器、飛機(jī)或?qū)椛系难b備，而GJB 360中給出了4 572~200 000m不同高度下對(duì)應(yīng)的低氣壓值，GJB 548也給出了4 572~200 000m不同高度下對(duì)應(yīng)的低氣壓值。對(duì)比GJB 360與GJB 548的低氣壓-高度表，GJB 548共列出了A、B、C、D、E、F、G7個(gè)不同條件下的高度氣壓值，并且所給出的試驗(yàn)條件有一定的規(guī)律性，隨著飛行高度由低到高，氣壓值由大變?。籊JB 360給出了A、B、C、D、E、F、G、H、I、J 10個(gè)不同條件下的高度氣壓值，并且所列的高度-氣壓表中的試驗(yàn)條件由A到試驗(yàn)條件E有一定的規(guī)律性，隨著飛行高度由低到高，氣壓值由大變小，而由試驗(yàn)條件F到試驗(yàn)條件J沒有呈現(xiàn)規(guī)律性。與GJB 548所列的試驗(yàn)條件對(duì)比，GJB 360 試驗(yàn)條件增加了條件H到試驗(yàn)條件J，對(duì)應(yīng)的氣壓高度條件分別為：H：3 000m 70kPa；J：18 000m，7.6kPa；K：25 000m, 2.5 kPa 。
2、試驗(yàn)時(shí)間
GJB 360B-2009規(guī)定：
3、升降壓速率
通常不大于10kPa/min。
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